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Transistor Mosfet IRF740 400V 10A


Codigo: 113175-

Sub Total: $1.50
Impuesto: $0.11
Total con Impuesto: $1.61


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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF740PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

  • Baja resistencia térmica
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Cambio rápido
  • Totalmente avalancha nominal
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisito de manejo simple
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 10 A
  • Resistencia de activación Rds(on): 550 mohm
  • Disipación de potencia Pd: 125 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

  • NTE2397