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Transistor Mosfet FQPF10N60C 600V 9.5A


Codigo: 113785-

Precio: $1.61


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El 10N60C es un Mosfet ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado,   proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de conmutación y   avalancha. Estos dispositivos son adecuados para suministros de energía de modo de conmutación de alta eficiencia y   corrección de factor de potencia activa.

  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Cambio rápido
  • Carga de puerta baja (típico 44 nC)
  • Crss bajo (típico 18 pF)
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje ID: 9.5 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 38 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 156 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.73 ohm
  • Temperatura de funcionamiento mínima:   -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3