Transistor MOSFET IRF530 100V 14A

Descripción

Transistor mosfet IRF530 de canal N que ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta echo para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad.

• Área de operación segura extendida
• Corriente de fuga más baja (10A máximo en VDS = 100V)
• Baja RDS (ON) (0,092Ω típico)
• ± 20V Tensión de puerta a fuente
• 6.,5 ° C / W Resistencia térmica, unión al ambiente
• 2.74 ° C / W Resistencia térmica, unión a caja
• Aplicaciones: Administración de Potencia  

Información Básica

• Polaridad: Canal N
• Intensidad drenador continua Id: 14 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
• Resistencia de activación Rds(on): 110mohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 100 V
• Tensión umbral Vgs: 2 V
• Disipación de potencia Pd: 55 W
• Temperatura de trabajo mínima:  -55 °C
• Temperatura de trabajo máxima:  175°C
• Encapsulado TO-220
• 3 pines