Transistor Mosfet 2N7000 tipoN

Descripción

Este MOSFET de pequeña señal es fabricado con tecnología DMOS de alta densidad patentada por ON Semiconductor. Ha sido diseñado para minimizar la resistencia de encendido, a la vez que proporciona un buen rendimiento en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Se puede usar en la mayoría de las aplicaciones que requieran hasta 400 mA y puede suministrar corrientes pico de hasta 2 A. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente.

• Serie: 2N7000
• Encapsulado: TO-92 - 3
• Tipo: Canal N
• Vds: 60 V
• Id: 200 mA
• Rds de encendido: 1.2 Ohms
• Vgs: 20 V
• Temperatura de operación: -55°C a 150 °C
• Disipación de potencia: 400 mW