Transistor Mosfet NDD04N50ZT4G SMD 500V 3A

Descripción

Transistor Mosfet NDD04N50ZT4G SMD  500V 3A

• Canal N MOSFET tipo FET
• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
• Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A
• Rds activado (máx.) @ Id Vgs 2,7 ohmios a 1,5 A 10 V
• Vgs (th) (Máx.) @ Id 4.5V @ 50µA
• Carga de puerta (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
• Capacitancia de entrada (Ciss) @ Vds 308pF @ 25V
• Potencia - Max 61W
• Tipo de montaje Montaje en superficie
• Paquete de dispositivos del proveedor D-Pak